Vcsel芯片隱裂（cracks）、InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測

法拉第激光隔離器膠合偏振片無(wú)損檢驗

die chip ， IC 失效分析

Wafer正反面定位標記重合誤差無(wú)損測量

硅基半導體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無(wú)損紅外檢測

對太陽(yáng)能電池/組件加載電壓后，使之發(fā)光，再利用近紅外相機攝取其發(fā)光影像，因電致發(fā)光亮度正比于少子擴散長(cháng)度，缺陷處因具有較低的少子擴散長(cháng)度而發(fā)出較弱的光，從而形成較暗的影像。